多因饮食失调，英雄劳累过度，以及忧思、久病损伤脾气所致。
丨归目前二维半导体面临的关键挑战是如何避免在邻近电介质中形成电荷散射和trap位点。然而，灯火如何在晶圆上实现可靠的单晶六方氮化硼薄膜生长就成为工业上必须进行攻关的技术难点。
然而，英雄研究人员却意外发现六方氮化硼与铜（111）横向对接（lateraldocking）之后，可以增强六方氮化硼的外延生长，并保证了该外延生长是单向的。研究还发现，丨归由此制备的单晶六方氮化硼可以集成到二硫化钼和二氧化铪之间作为界面层，能够大大增强晶体管的电学性能。灯火【图文导读】图1蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向图2单晶六方氮化硼的生长和原子结构图3DFT计算图4晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片文献链接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)（Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2009-2）本文由材料人学术组NanoCJ供稿。
材料牛网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，英雄欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱[email protected]。以往理论认为，丨归六方氮化硼单层无法在高对称的铜（111）金属表面实现单向生长
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